借助“TaRF6”新工艺,为射频开关应用定制的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已被开发并应用于新型SP12T射频天线开关IC中,从而带来0.42dB插入损耗(f=2.7GHz)以及-90dBm二次谐波失真[7]。的性能。与之前的“TaRF5”工艺相比,插入损耗(f=2.7GHz)降低了0.26dB,二次谐波失真降低18dB。较低的插入损耗可降低智能手机的功耗,而较低的谐波失真则有利于开发需要低失真的载波聚合[8]智能手机。
东芝将于今年年底扩大采用具有低插入损耗和低失真的“TaRF6”工艺的产品阵容,以满足全球正在部署的长期演进(LTE)技术所需的多端口和复杂功能的要求,而LTE-Advanced[9]技术有望紧随其后。此外,东芝正考虑提供采用TarfSOI?技术的SOI晶圆代工服务。
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RELIANCE ELECTRIC 252.42.00 NSPP 2524200
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RELIANCE ELECTRIC 612444-R USPP 612444R