FRAM MCU能提供无可匹敌的写入速度,更比传统非易失性存储器解决方案的擦写循环次数多100亿倍 ,这不仅意味着那些可被收集的数据会呈指数级骤增,还意味着该MCU的擦写周期超过了产品生命周期本身。由于FRAM无需预先擦除段便可接受比特级访问,无需额外的功耗便可实现恒定的即时数据记录,因此能简化代码开发过程。此外,无线固件更新的复杂程度也可大大降低,速度会更快,能耗会更低。通过减少在装配线上的编程时间,FRAM还可缩减制造成本。
“TI的FRAM MCU具有独特的灵活性,这使我们能在FRAM内随处划分RAM型内存和程序内存,并能在紧凑的空间内创建一种独一无二的低成本
Details about TCI TAITRON 2N3055 USPP 2N3055
SICK OPTIC ELECTRONIC EL1-N123S02 USPP EL1N123S02
Details about FURNAS ELECTRIC CO 52RA1A8 NSPP 52RA1A8
SICK OPTIC ELECTRONIC PL22-1 NSPP PL221
Details about FURNAS ELECTRIC CO 64MC2 NSFP 64MC2
Details about HONEYWELL 30754975-503 USPP 30754975503
WESTINGHOUSE S-1490646-B USPP S1490646B